研究用高純度シリコンウェハー 1枚入 4×N型(1枚)

商品

特徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供

仕様

●サイズ(インチ)×伝導型:4×N型●OF長さ(mm)×ウェハー厚(μm):32.5±2.5×525±25●入数:1枚●製造方法:CZ法●面方位:100●OF位置:110●抵抗値:0.1~100Ω・cm※低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm●パーティクル:パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位(切断角度)、OF位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください(最低単位25枚)。

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