2インチINPウェハ(Prime) 研究用[S-C-N/S(100)] 片面ポリッシュ 10枚(1箱(10枚入り))

商品

特徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様

●グレード:Prime●材料:InP●コンディションタイプ/ドーパント:S-C-N/S●直径:50.05±0.2mm●方向:(100)±0.5°●フラットオペーション:EJ●1次オリフラ:(0-1-1)●ファーストOF長さ:16±2mm●2次オリフラ:(0-11)●セカンドOF長さ:7±1mm●キャリア濃度:2E18~8E18cm−3●抵抗率:0.6-3~2.5E-3ohm・cm●可動性:1000~2000cm2/V・sec●EPD:Ave<:5000cm−2●レーザーマーク:Back side major flat●エッジラウンディング:0.25mmR(Conform to SEMI Standards)●厚み:325~375μm●TTV:Max:10μm●TIR:Max:10μm●BOW:Max:10μm●Warp:Max:15μm●面状態:Side1:PolishedSide2:Etched●パッケージ:individual container filled with N2●Epi-ready:Yes●数量:10枚(1箱)●※特注対応品●▼方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●▼多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●▼ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

個人宅宛の配送について

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