8インチSICウェハ(ダミーグレード/4H-N)研究用 1枚入(1箱)

商品

特徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様

●グレード:ダミーグレード●タイプ:4H●Surface orientation error:<11-20>4±0.5 °●ドーパント:N型 Nitrogen●抵抗率:0.015~0.025 ohm・cm●直径:200.0±0.2mm●厚み:500±25 μm●主要ノッチ方位:[1-100]±5 °●主要ノッチ深さ:1-1.5 mm●セカンドオリフラ:None●LTV:≤10(10mm×10mm)μm●TTV:≤15μm●Bow:0±65μm●Warp:≤70μm●(AFM)Front(Si-face)Roughness:Ra≤0.2 nm●マイクロパイプ:≤50ea/cm●金属不純物:NA●TED:NA●BPD:NA●TSD:NA●<表面状態>●フロントサイド:Si●面状態:Si-face CMP●パーティークル:NA●スクラッチ:NA●<裏面状態>●面状態:C-face polished●スクラッチ:NA ea/mm●裏面粗さ:Ra≤5 nm●レーザーマーク:On●エッジ:Chamfer●Notes:"NA" =不問。Items not metioned may refer to SEMI-STD●数量:1枚(1箱)●※特注対応品●▼方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●▼多様な形状加工と表面処理が可能です(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●▼ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●※特注対応での受注の場合は仕入先とご調整お願いします。

個人宅宛の配送について

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